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les avantages de différents métaux et du chalcogène peuvent ainsi être combinés sous forme d'un composé électroconducteur formant des ponts.
die vorteile verschiedener Übergangsmetalle und der chalkogene als elektrisch leitende brückenbildner können so kombiniert werden.
dispositif selon la revendication 10, dans lequel ledit verre chalcogène comprend du sélénium amorphe, as 2 se 3 , gese 2 et des alliages connexes.
vorrichtung nach anspruch 10, wobei das chalkogenidglas amorphes selen, as 2 se 3 , gese 2 und verwandte legierungen umfaßt.
elément de mémoire de la revendication 25, dans lequel ledit volume de matériau de mémoire (36) inclut un ou plusieurs éléments de chalcogène.
speicherelement nach anspruch 25, bei dem das volumen an speichermaterial (36) ein oder mehrere chalcogen-element(e) aufweist.
appareil de la revendication 4, dans lequel ledit élément chalcogène est sélectionné à partir du groupe de te, se, et des mélanges ou des alliages de ceux-ci.
vorrichtung nach anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das chalcogen-element aus der gruppe te, se und gemische oder legierungen daraus gewählt ist.
appareil de la revendication 3, dans lequel ledit matériau à changement de phase (314) inclut au moins un élément chalcogène et au moins un élément de métal de transition.
vorrichtung nach anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das phasenumwandlungsmaterial (314) mindestens ein chalkogen-element und mindestens ein Übergangsmetallelement enthält.
composition suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend de plus au moins un composant halogène, un composant chalcogène et un composant phosphore.
zusammensetzung nach einem der vorhergehenden ansprüche, die weiterhin mindestens eine komponente aus einer halogenkomponente, einer chalcogenkomponente und einer phosphorkomponente enthält.
dispositif de stockage de données selon la revendication 8, dans lequel le composant renforçateur des caractéristiques morphologiques comprend une couche d'un chalcogène déposée en contact avec la couche du chalcogénure à changement d'état.
datenspeichervorrichtung nach anspruch 8, wobei die morphologie-verbessernde komponente eine schicht von chalkogen aufweist, die in kontakt mit der schicht von zustandsänderbarem chalkogenid aufgebracht ist.