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kontrolle der gross-skale-topografie auf siliciumsubstraten
contrÔle de la topographie à grande échelle sur des substrats de silicium
Last Update: 2014-12-03
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verfahren zum aufwachsen von epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten siliciumsubstraten.
procédé de croissance de couches épitaxiales sur des substrats en silicium, sélectivement dopés à haute concentration d'impureté.
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