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elektronenstrahlkanone
canon à faisceau d'électrons
Dernière mise à jour : 2014-12-03
Fréquence d'utilisation : 1
Qualité :
elektronenstrahlerzeuger und hochspannungskabel, insbesondere für eine elektronenstrahlkanone
dispositif de production d'un faisceau d'électrons et câble à haute tension, en particulier pour canon à électrons
vorrichtung nach anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsquelle eine gasentladungs-elektronenstrahlkanone umfaßt.
appareil selon la revendication 1 ou la revendication 2 caractérisé en ce que la source de radiation comprend un canon à faisceau électronique à décharge dans un gaz.
2. verfahren zur herstellung einer drehanode nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die abscheidungsrate des kohlenstoffs durch gleichzeitige verdampfung von graphit mittels elektronenstrahlkanone erhöht wird.
2. procédé de fabrication d'une anode tournante selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'allure de dépôt du carbone est accru par une vaporisation simultanée de graphite au moyen d'un canon à faisceau électronique.
verfahren nach anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der verfahrensschritt (c) mit einer strahlungsquelle in der gestalt einer gasentladungs-elektronenstrahlkanone durchgeführt wird.
procédé selon la revendication 11 caractérisé en ce que l'opération (c) est conduite à l'aide d'une source de radiation sous forme d'un canon à faisceau électronique à décharge dans un gaz.
anode nach anspruch 1, wobei die erste schicht (44) aus einkristall-siliziummaterial mit einer kristallographischen achse (92) besteht, und die zweite schicht (46) aus einkristall-siliziummaterial mit ebenfalls einer kristallographischen achse (94) besteht, wobei die kristallographische achse (92) der ersten schicht (44) in bezug auf die kristallographische achse (94) der zweiten schicht (46) gedreht ist. anode nach anspruch 1, wobei die erste schicht (44) aus einkristall-siliziummaterial mit einer wafer-ausrichtung besteht, und die zweite schicht (46) aus einkristall-siliziummaterial mit ebenfalls einer wafer-ausrichtung besteht, wobei sich die wafer-ausrichtung der ersten schicht (44) von der wafer-ausrichtung der zweiten schicht (46) unterscheidet anode nach anspruch 1, wobei die erste schicht (44) aus einkristall-siliziummaterial besteht, von dem ein teil den fensterbereich (52) der anode (36) bildet, die zweite schicht (46) aus einkristall-siliziummaterial besteht, und die schicht (48) aus Ätzstoppmaterial zwischen der ersten schicht (44) und der zweiten schicht (46) um den fensterbereich (52) herum entfernt wird, um dadurch die zweite schicht (46) von der ersten schicht (44) selektiv zu entkoppeln und spannungskonzentrationen in dem fensterbereich der ersten schicht zu vermindern. aktinische strahlungsquelle, die umfasst: eine evakuierte kathodenstrahlröhrenstruktur (22); eine mit der kathodenstrahlröhrenstruktur verbundene kathodenstrahlkanone (24), die an einem ende (26) der kathodenstrahlröhrenstruktur (22) gelegen und eingerichtet ist, einen elektronenstrahl zu emittieren, une eine monolithische anode (26) nach einem der ansprüche 1 bis 10, ebenfalls mit der kathodenstrahlröhrenstruktur verbunden, die an einem anderen ende (32) der kathodenstrahlröhrenstruktur (22) getrennt von der kathodenstrahlkanone (24) gelegen ist, wobei der fenster bereich auf der kathodenstrahlröhrenstruktur (22) ausgerichtet ist, sodass der von der elektronenstrahlkanone (24) emittierte elektronenstrahl nach beschleunigung durch das in der kathodenstrahlröhrenstruktur vorhandene vakuum und aufschlagen auf der monolithischen anode (36) den fensterbereich (52) durchdringt, um in ein die kathodenstrahlröhrenstruktur umgebendes medium einzudringen. verfahren zur herstellung einer monolithischen anode, die zur aufnahme in eine aktinische strahlungsquelle geeignet ist, das die folgenden schritte umfasst: bereitstellen eines substrats (42) mit einer ersten schicht (44) aus einkristall-siliziummateriat und einer zweiten schicht (46) aus einkristall-siliziummaterial, zwischen die eine Ätzstoppschicht (48) aus siliziumoxid (sio 2 ) eingefügt wird; bilden einer gemusterten ätzstoffbeständigen schicht (56) auf einer oberfläche der zweiten schicht (46) am weitesten von dem Ätzstoppmaterial und einer schützenden ätzstoffbeständigen schicht (57) auf einer oberfläche der ersten schicht (44) am weitesten von dem Ätzstoppmaterial, und Ätzen durch die zweite schicht (46) zu dem zwischen der ersten schicht und der zweiten schicht eingefügten Ätzstoppmaterial, um dadurch einen dünnen, monolithischen und defektfreien siliziummembran-elektronenstrahlfensterbereich (52) in der ersten schicht (44) des substrats zu definieren.
source de rayonnement actinique comprenant : une structure de tube à rayons cathodiques sous vide (22) ; un canon à rayons cathodiques (24) connecté à ladite structure de tube à rayons cathodiques, qui est situé au niveau d'une extrémité (26) de ladite structure de tube à rayons cathodiques (22) et qui est conçue pour l'émission d'un faisceau d'électrons ; et une anode monolithique (36) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, également connectée à ladite structure de tube à rayons cathodiques, qui est située au niveau de l'autre extrémité (32) de ladite structure à rayons cathodiques (22) séparée dudit canon à rayons cathodiques (24), dans laquelle la zone de fenêtre est orientée sur ladite structure à rayons cathodiques (22) de telle sorte que le faisceau d'électrons émis par le canon à rayons cathodiques (24), lorsqu'il est accéléré au travers du vide présent à l'intérieur de la structure de tube à rayons cathodiques et heurte ladite anode monolithique (36), passe au travers de la zone de fenêtre (52) pour pénétrer dans le milieu entourant la structure de tube à rayons cathodiques. procédé pour fabriquer une anode monolithique conçue pour une inclusion dans une source de rayonnement actinique, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat (42) ayant une première couche (44) de matériau de silicium monocristallin et une deuxième couche (46) de matériau de silicium monocristallin entre lesquelles est intercalée une couche d'arrêt d'attaque (48) constituée d'un matériau de dioxyde de silicium (sio 2 ) ; former une couche résistant à l'attaque chimique à motifs (56) sur une surface de la deuxième couche (46) le plus loin possible du matériau d'arrêt de l'attaque chimique, et une couche protectrice résistant à l'attaque chimique (57) sur une surface de la première couche (44) le plus loin possible du matériau d'arrêt de l'attaque chimique ; et réaliser une attaque chimique au travers de la deuxième couche (46) jusqu'au matériau d'arrêt de l'attaque chimique (48) intercalé entre la première et la deuxième couche pour ainsi définir une zone de fenêtre de faisceau d'électrons à membrane de silicium exempte de défauts (55) dans la première couche (44) du substrat.