Imparare a tradurre dagli esempi di traduzione forniti da contributi umani.
Da: Traduzione automatica
Suggerisci una traduzione migliore
Qualità:
Da traduttori professionisti, imprese, pagine web e archivi di traduzione disponibili gratuitamente al pubblico.
specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 ma/w;
specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 ma/w;
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:
Attenzione: contiene formattazione HTML nascosta
ladningskoblede enheder (ccd), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå 'ladningsmultiplicering'; eller
charge coupled devices (ccd) not designed or modified to achieve ‘charge multiplication’; or
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
b. specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal »strålingsfølsomhed« på over 10 ma/w
b. specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ and having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 10 ma/w;
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
billedplansystemer specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal strålingsfølsomhed på højst 10ma/w for bølgelængder over 760 nm med samtlige følgende:
"focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 ma/w or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
Attenzione: contiene formattazione HTML nascosta
en elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate;
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
b. en elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade, og
b. an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and
Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità: