검색어: ladningsmultiplicering (덴마크어 - 영어)

specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal strålingsfølsomhed på over 10 ma/w;
specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum radiant sensitivity exceeding 10 ma/w;

ladningskoblede enheder (ccd), som ikke er konstrueret eller modificeret til at opnå 'ladningsmultiplicering'; eller
charge coupled devices (ccd) not designed or modified to achieve ‘charge multiplication’; or

b. specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og med en maksimal »strålingsfølsomhed« på over 10 ma/w
b. specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ and having a maximum “radiant sensitivity” exceeding 10 ma/w;

billedplansystemer specielt konstrueret eller ændret for at opnå ladningsmultiplicering og konstruktionsmæssigt begrænset til en maksimal strålingsfølsomhed på højst 10ma/w for bølgelængder over 760 nm med samtlige følgende:
"focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum radiant sensitivity of 10 ma/w or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:

en elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade
an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate;

b. en elektronisk sensor med en afstand mellem de ikkebundne pixel på 500 μm eller mindre, der specielt er konstrueret eller ændret med henblik på at opnå en 'ladningsmultiplicering' på anden måde end ved en mikrokanalplade, og
b. an electron sensing device with a non-binned pixel pitch of 500 μm or less, specially designed or modified to achieve ‘charge multiplication’ other than by a microchannel plate; and