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Finlandese

Francese

Informazioni

Finlandese

cmos-bipolaariprosessi

Francese

procédé bipolaire cmos à haute performance

Ultimo aggiornamento 2014-11-14
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Finlandese

bipolaarinen cmos-teknologia

Francese

technologie bicmos

Ultimo aggiornamento 2014-11-14
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Finlandese

yhdistetty cmos-ja nmos-teknologia

Francese

technologie mixte cmos et nmos

Ultimo aggiornamento 2014-11-14
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Finlandese

cmos-tekniikan jälkeiset pii-yhteensopivat laitteet

Francese

• dispositifs allant audelà du cmos compatibles avec le silicium:

Ultimo aggiornamento 2014-02-06
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Finlandese

- cmos-tekniikat (front-end) enintään 70 nm:n viivanleveydellä.

Francese

cmos de début de ligne pour les nœuds technologiques égaux ou inférieurs à 70 nm; l'accent sera mis sur les architectures de transistor permettant de faibles courants de veille, sur des matériaux de remplacement pour les grilles, et enfin sur les matériaux à k élevé pour les isolants de grille et les capacités;

Ultimo aggiornamento 2014-02-06
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Finlandese

(10) alkuperäisen asetuksen 1 artiklan 1 kohdassa säädetään, että tasoitustullin alaisia tarkasteltavina olevia tuotteita ovat tietyt korean tasavallasta peräisin olevat elektroniset mikropiirit (dram-muistit) niiden tyypistä riippumatta. tarkasteltavana olevan tuotteen tiheys, hakunopeus, konfiguraatio, pakkaus, kehys jne. voivat olla millaisia tahansa. lisäksi mainitaan valmistusprosessi (metallioksidipuolijohdeteknologian (mos-teknologian) muunnelmat, kuten komplementaarinen mos-teknologia (cmos)).

Francese

(10) l'article 1er, paragraphe 1, du règlement initial dispose que les produits soumis au droit compensateur sont certains types de microcircuits électroniques dits "dram", de tous types, originaires de la république de corée. ces produits sont couverts quels que soient leur densité, leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc. l'article en question précise aussi le procédé de fabrication [variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (mos), y compris certains types de mos complémentaire (cmos)].

Ultimo aggiornamento 2008-03-04
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: Anonimo
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