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cmos-bipolaariprosessi
procédé bipolaire cmos à haute performance

bipolaarinen cmos-teknologia
technologie bicmos

yhdistetty cmos-ja nmos-teknologia
technologie mixte cmos et nmos

cmos-tekniikan jälkeiset pii-yhteensopivat laitteet
• dispositifs allant audelà du cmos compatibles avec le silicium:

- cmos-tekniikat (front-end) enintään 70 nm:n viivanleveydellä.
cmos de début de ligne pour les nœuds technologiques égaux ou inférieurs à 70 nm; l'accent sera mis sur les architectures de transistor permettant de faibles courants de veille, sur des matériaux de remplacement pour les grilles, et enfin sur les matériaux à k élevé pour les isolants de grille et les capacités;

(10) alkuperäisen asetuksen 1 artiklan 1 kohdassa säädetään, että tasoitustullin alaisia tarkasteltavina olevia tuotteita ovat tietyt korean tasavallasta peräisin olevat elektroniset mikropiirit (dram-muistit) niiden tyypistä riippumatta. tarkasteltavana olevan tuotteen tiheys, hakunopeus, konfiguraatio, pakkaus, kehys jne. voivat olla millaisia tahansa. lisäksi mainitaan valmistusprosessi (metallioksidipuolijohdeteknologian (mos-teknologian) muunnelmat, kuten komplementaarinen mos-teknologia (cmos)).
(10) l'article 1er, paragraphe 1, du règlement initial dispose que les produits soumis au droit compensateur sont certains types de microcircuits électroniques dits "dram", de tous types, originaires de la république de corée. ces produits sont couverts quels que soient leur densité, leur vitesse d'accès, leur configuration, leur mode de conditionnement ou leur support, etc. l'article en question précise aussi le procédé de fabrication [variantes du procédé métal-oxyde-semi-conducteur (mos), y compris certains types de mos complémentaire (cmos)].