Hai cercato la traduzione di tisi da Inglese a Francese

order to tisi canada inc.
ordre délivré à l'intention de tisi canada inc.

tisi, ti5si3, tisi2, ti5si4
tisi, ti5si3, tisi2, ti5si4

update on order issued to tisi canada inc.
mise à jour au sujet de l'ordre délivré à tisi canada inc.

their corresponding silicides are cosi 2 , nisi, ptsi and tisi 2 , respectively.
leurs siliciures correspondants sont respectivement le cosi2, le nisi, le ptsi, et le tisi2.

on january 31, 2013, the cnsc announced that it had issued an order to tisi canada inc.
le 31 janvier 2013, la ccsn a annoncé avoir délivré un ordre à tisi canada inc.

for example, the contact and bond layers may be made of titanium silicide tisi 2 and titanium nitride tin.
a titre d'exemple, les couches de contact et d'accrochage peuvent être respectivement en siliciure de titane tisi 2 et en nitrure de titane tin.

the figure shows the tisi sheet resistance as a function of the preclean plasma etch substrate bias for xe, ar, and ne
la figure indique la résistance de couches de tisi en fonction de la tension de polarisation de xe, ar, et ne sur le substrat prénettoyé, gravé au plasma

the method of any of the preceding claims 1 to 5 wherein said tisi 2 substantially exhibits the c54 phase, said c54 phase being formed without an annealing step following said step of heating.
le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 précédentes, dans lequel ledit tisi 2 présente sensiblement la phase c54, ladite phase c54 étant formée sans étape de recuit à la suite de ladite étape de chauffage.

a manufacturing method according to claims 1 or 2, characterized in that said silicide layer (6) is a tisi layer.
procédé de fabrication selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite couche de siliciure (6) est une couche de tisi.

an electron emitting semiconductor device according to claim 1, wherein said shottky barrier electrode is composed of at least a material selected from gd, lab₆, tic, zrc, hfc, smb₆, gdb₆, wsi₂, tisi₂, zrsi₂ and gdsi₂.
dispositif semiconducteur émettant des électrons selon la revendication 1, dans lequel ladite électrode à barrière de schottky est composée d'au moins une matière choisie parmi gd, lab₆, tic, zrc, hfc, smb₆, gdb₆, wsi₂, tisi₂, zrsi₂ et gdsi₂.