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Greco

Informazioni

Inglese

electron mobility

Greco

ευκινησία των ηλεκτρονίων

Ultimo aggiornamento 2014-11-14
Frequenza di utilizzo: 5
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

germanium electron mobility

Greco

κινητικότητα των ηλεκτρονίων του Γερμανίου

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

electron-drift mobility

Greco

κινητικότητα ολίσθησης ηλεκτρονίων

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

high electron mobility transistor

Greco

κρυσταλλοτρίοδος με ηλεκτρόνια υψηλής κινητικότητας

Ultimo aggiornamento 2014-11-15
Frequenza di utilizzo: 5
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

high-electron-mobility transistor

Greco

κρυσταλλοτρίοδοι ηλεκτρονίων υψηλής ευκινησίας; κρυσταλλοδίοδοι ηλεκτρονίων υψηλής ευκινησίας

Ultimo aggiornamento 2014-11-14
Frequenza di utilizzo: 5
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

electron

Greco

ηλεκτρόνιο

Ultimo aggiornamento 2014-11-15
Frequenza di utilizzo: 11
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

aluminum-antimonide electron mobility

Greco

ευκινησία ηλεκτρονίων στο αντιμονιούχο αργίλλιο

Ultimo aggiornamento 2014-11-13
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

recoil electron

Greco

ηλεκτρόνιο ανάκρουσης

Ultimo aggiornamento 2026-02-28
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (hemt), hetero-bipolar transistors (hbt), quantum well and super lattice devices;

Greco

Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).

Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:

Riferimento: IATE

Inglese

note:3e003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (hemt) operating at frequencies lower than 31,8 ghz and hetero-junction bipolar transistors (hbt) operating at frequencies lower than 31,8 ghz.

Greco

Σημείωση:Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η "τεχνολογία" για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 ghz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 ghz.

Ultimo aggiornamento 2014-11-21
Frequenza di utilizzo: 3
Qualità:

Riferimento: IATE
Attenzione: contiene formattazione HTML nascosta

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