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electron mobility

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Infos

Anglais

electron mobility

Grec

ευκινησία των ηλεκτρονίων

Dernière mise à jour : 2014-11-14
Fréquence d'utilisation : 5
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

germanium electron mobility

Grec

κινητικότητα των ηλεκτρονίων του Γερμανίου

Dernière mise à jour : 2014-11-13
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

electron-drift mobility

Grec

κινητικότητα ολίσθησης ηλεκτρονίων

Dernière mise à jour : 2014-11-13
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

high electron mobility transistor

Grec

κρυσταλλοτρίοδος με ηλεκτρόνια υψηλής κινητικότητας

Dernière mise à jour : 2014-11-15
Fréquence d'utilisation : 5
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

high-electron-mobility transistor

Grec

κρυσταλλοτρίοδοι ηλεκτρονίων υψηλής ευκινησίας; κρυσταλλοδίοδοι ηλεκτρονίων υψηλής ευκινησίας

Dernière mise à jour : 2014-11-14
Fréquence d'utilisation : 5
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

electron

Grec

ηλεκτρόνιο

Dernière mise à jour : 2014-11-15
Fréquence d'utilisation : 11
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

aluminum-antimonide electron mobility

Grec

ευκινησία ηλεκτρονίων στο αντιμονιούχο αργίλλιο

Dernière mise à jour : 2014-11-13
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

recoil electron

Grec

ηλεκτρόνιο ανάκρουσης

Dernière mise à jour : 2026-02-28
Fréquence d'utilisation : 1
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (hemt), hetero-bipolar transistors (hbt), quantum well and super lattice devices;

Grec

Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices).

Dernière mise à jour : 2014-11-21
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE

Anglais

note:3e003.b. does not control "technology" for high electron mobility transistors (hemt) operating at frequencies lower than 31,8 ghz and hetero-junction bipolar transistors (hbt) operating at frequencies lower than 31,8 ghz.

Grec

Σημείωση:Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η "τεχνολογία" για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 ghz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 ghz.

Dernière mise à jour : 2014-11-21
Fréquence d'utilisation : 3
Qualité :

Référence: IATE
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