Imparare a tradurre dagli esempi di traduzione forniti da contributi umani.
Da traduttori professionisti, imprese, pagine web e archivi di traduzione disponibili gratuitamente al pubblico.
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Ultimo aggiornamento 2018-02-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
dh-ingaas(2)
dh-ingaas(2)
Ultimo aggiornamento 2018-02-13
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
ingaas/inp type pin photodiodes.
ingaas/inp-pin-photodioden.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
ingaas image intensification camera
ingaas-bildintensivierungskamera
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
method of fabricating a surface coupled ingaas photodetector
herstellungsverfahren für einen oberflächen-gekoppelten ingaas photodetektor
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
high electron mobility transistor comprising an inas/ingaas superlattice
transistor von hoher elektronenbeweglichkeit mit einem inas/ingaas supergitter
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
method of dry etching ina1as and ingaas lattice matched to inp.
methode für das trockenätzen von inalas und ingaas mit inp übereinstimmender, kristallographischen ordnung.
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
inp/ingaas monolithic integrated demultiplexer, photodetector, and heterojunction bipolar transistor
in inp/ingaas monolithisch integrierter demultiplexer, photodetektor und heteroübergang-bipolartransistor
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
the highly sensitive ingaas detector is responsive in the spectral range from 900 – 2500nm.
der hochsensible ingaas chipsatz bietet eine spektrale empfindlichkeit von 900 bis 2500nm
Ultimo aggiornamento 2018-02-13
Frequenza di utilizzo: 1
Qualità:
a compound semiconductor photodiode as claimed in claim 4, wherein the undercoat is an ingaas crystal.
verbindungshalbleiter-fotodiode nach anspruch 4, wobei die unterschicht ein ingaas-kristall ist.
Ultimo aggiornamento 2014-12-05
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
the semiconductor light emission system as defined in claim 1, the semiconductor being constituted of an ingaas material.
lichtemittierendes halbleitersystem nach anspruch 1, dessen halbleiter aus ingaas- material besteht.
Ultimo aggiornamento 2014-12-05
Frequenza di utilizzo: 4
Qualità:
a group iii-v compound semiconductor laser according to claim 10, wherein said gradient composition layer essentially consists of ingaas.
verbindungshalbleiterlaser der gruppe iii-v nach anspruch 10, bei dem die zusammengesetzte gradientenschicht im wesentlichen aus ingaas besteht.
Ultimo aggiornamento 2014-12-05
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:
semiconductor laser device having ingaas compressive-strain active layer, gaasp tensile-strain barrier layers and ingap optical waveguide layers
halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven schicht aus ingaas unter kompressionsdruck, einer sperrschicht aus gaasp unter dehnungsdruck, und einem lichtwellenleiter aus ingap
Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità: