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Laatste Update: 2018-02-13
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
dh-ingaas(2)
dh-ingaas(2)
Laatste Update: 2018-02-13
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
ingaas/inp type pin photodiodes.
ingaas/inp-pin-photodioden.
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
ingaas image intensification camera
ingaas-bildintensivierungskamera
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
method of fabricating a surface coupled ingaas photodetector
herstellungsverfahren für einen oberflächen-gekoppelten ingaas photodetektor
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
high electron mobility transistor comprising an inas/ingaas superlattice
transistor von hoher elektronenbeweglichkeit mit einem inas/ingaas supergitter
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
method of dry etching ina1as and ingaas lattice matched to inp.
methode für das trockenätzen von inalas und ingaas mit inp übereinstimmender, kristallographischen ordnung.
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
inp/ingaas monolithic integrated demultiplexer, photodetector, and heterojunction bipolar transistor
in inp/ingaas monolithisch integrierter demultiplexer, photodetektor und heteroübergang-bipolartransistor
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
the highly sensitive ingaas detector is responsive in the spectral range from 900 – 2500nm.
der hochsensible ingaas chipsatz bietet eine spektrale empfindlichkeit von 900 bis 2500nm
Laatste Update: 2018-02-13
Gebruiksfrequentie: 1
Kwaliteit:
a compound semiconductor photodiode as claimed in claim 4, wherein the undercoat is an ingaas crystal.
verbindungshalbleiter-fotodiode nach anspruch 4, wobei die unterschicht ein ingaas-kristall ist.
Laatste Update: 2014-12-05
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
the semiconductor light emission system as defined in claim 1, the semiconductor being constituted of an ingaas material.
lichtemittierendes halbleitersystem nach anspruch 1, dessen halbleiter aus ingaas- material besteht.
Laatste Update: 2014-12-05
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Kwaliteit:
a group iii-v compound semiconductor laser according to claim 10, wherein said gradient composition layer essentially consists of ingaas.
verbindungshalbleiterlaser der gruppe iii-v nach anspruch 10, bei dem die zusammengesetzte gradientenschicht im wesentlichen aus ingaas besteht.
Laatste Update: 2014-12-05
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit:
semiconductor laser device having ingaas compressive-strain active layer, gaasp tensile-strain barrier layers and ingap optical waveguide layers
halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven schicht aus ingaas unter kompressionsdruck, einer sperrschicht aus gaasp unter dehnungsdruck, und einem lichtwellenleiter aus ingap
Laatste Update: 2014-11-28
Gebruiksfrequentie: 2
Kwaliteit: