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drogaggio
dopage

drogaggio modulato
dopage modulé

drogaggio d'oro
dopage à l'or

agente di drogaggio
agent dopant

drogaggio d'emettitore
dopage d'émetteur

drogaggio della soluzione
dopage par dilution

prodotto drogaggio-lunghezza
produit longueur-dopage

densita effettiva di drogaggio
densité effective du dopant

gas di immagazzinamento per il drogaggio
gaz du réservoir dopant

caratterizzazione degli elementi di drogaggio
établissement du profil de dopage

densità di drogaggio di semiconduttore estrinseco
densité de dopage de semiconducteur extrinsèque

e' possibile ottenere drogaggio uniforme sopra un'area estesa.
11 est possible d'obtenir un dopage uniforme sur une zone étendue.

i pixel su quel sensore sono rappresentati da un condensatore mos a drogaggio p.
chaque pixel sur ce capteur est représenté par un condensateur mos.

la riproducibilità e le rese di produ­zione risultano superiori a causa del miglior controllo e della maggior uni­formità del drogaggio.
la reproductibilité et les rendements de production s'avèrent supérieurs en raison du meilleur contrôle et de la plus grande uniformité du dopage.

- controllo molto preciso del drogaggio fino ai più bassi livelli con ottima uni­formità anche su superfici di vari cm2;
- choix d'un grand nombre d'éléments dopeurs;

in questo articolo l'impiantazione ionica è stata presentata come una tecnica complementare e talvolta alter­nativa alla diffusione termica per il drogaggio dei semiconduttori.
a égale­ment contribué à cet approfondissement des connaissances la découverte de la canalisation des ions dans les mono­cristaux, qui a ouvert une nouvelle branche de la recherche et créé un puis­sant outil de diagnostic pour l'étude de la position des atomes dans une matrice cristalline.

i metodi di « drogaggio » tradizionali si basano su processi che avvengono mentre si stabiliscono equi­libri eterogenei all'interfaccia.
les méthodes traditionnelles de dopage se fondent sur des processus qui se pro­duisent pendant que s'établissent des équilibres hétérogènes à l'interface.

e' quanto si indica con il termine « drogaggio », processo chiave di tutta l'elettronica dello stato solido.
c'est ce que l'on nomme le « dopage », processus clé de toute l'électronique de l'état solide.

il progetto 519 ha perfezionato una tecnica, nota come «spreading resistance», che consente di ottenere un'accurata determinazione dei profili di drogaggio.
le projet 519 a développé une technique spécifique appelée «mesure de la spreading resistance» pour la définition précise des profils des dopants.

drogaggi di gas
dopage par gaz