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stromversorgung für speicherbausteine.
power supply for a memory unit.

diese speicherbausteine bestehen aus
- a static random access memory (ram) in c-mos technology,

speicherbausteine in verschiedenen bauarten:
memorychips in different designs:

leseverstÄrker fÜr nichtflÜchtige integrierte mehrebenen-speicherbausteine
sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

gepackte speicherbausteine mit verschiedenartigem einzigartigem physischem auswÄhlen
packaged memory devices with various unique physical appearances

planare struktur und verfahren zur herstellung nichtflÜchtiger speicherbausteine
planar structure and methods of fabricating non-volatile memory devices

stromlose galvanisierung von metallkappen fÜr auf chalcogenid basierende speicherbausteine
electroless plating of metal caps for chalcogenide-based memory devices

speicherbausteine mit nano-fÄhigkeit und anisotrope ladungstrÄger-arrays
nano-enabled memory devices and anisotropic charge carrying arrays

gestapelte organische speicherbausteine und verfahren zu ihrem betrieb und ihrer herstellung
stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating

die speicherbausteine, die als bauelemente in automatischen datenverarbeitungsmaschinen verwendet werden, bestehen aus:
memory elements intended for use as parts of automatic data-processing machines consisting of: - a static random access memory (ram) in c-mos technology,

ic's können komplette verstärkerschaltungen, digitale rechenbausteine, speicher oder speicherbausteine enthalten.
ic's can e.g. contain complete amplifier circuits, digital computing modules, memory or memory modules.

dadurch reduziert sich der aufwand für die platzierung gleichartiger bauteiltypen (speicherbausteine, abblockkondensatoren, testpunkte, usw.) ganz erheblich.
matrix placement is intended especially for the initial placement of homogeneous part types such as memory devices, block capacitors, test points, etc. of course the matrix placement function also considers the default rotation angle and mirror mode settings.

beschleunigung der programmierung eines speicherbausteins mit hilfe eines boundary scan (bscan)-registers
acceleration of the programming of a memory module with the aid of a boundary scan (bscan) register