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a semiconductor laser as defined in claim 5 wherein said column-like portion includes an active layer (106) and wherein said column-like portion defines a buried type refraction waveguide structure.
halbleiterlaser nach anspruch 5, bei dem der säulenartige bereich eine aktivschicht (106) enthält, und bei dem der säulenartige bereich eine brechungswellenleiterstruktur des vergrabenen typs bestimmt.