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process for manufactoring integrated resistive elements with silicidation protection
verfahren zur herstellung integrierter widerstandselemente mit silizidationsschutz

metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof
metall-gate-elektrode unter benutzung von silizidierung und diesbezÜgliches herstellungsverfahren

partial silicidation method to form shallow source/drain junctions
teilsilizidierungsverfahren zur bildung von flachen source/drain-Übergängen

method of forming a shallow trench, for isolating adjacent deep trenches, using a silicidation step
verfahren zur herstellung eines flachen grabens zur isolierung von zwei nebeneinanderliegenden tiefen gräben unter verwendung eines silizidierungsprozesses

process for manufacturing a memory device, in particular a phase change memory, including a silicidation step
verfahren zur herstellung einer speichervorrichtung, insbesondere eines phasenänderungsspeichers, wobei das verfahren eine silizidierungsschritt umfasst

a further disadvantage of the prior art arises from the fact that a silicide-silicon interface, forming during the silicidation, is generally formed unevenly.
ein weiterer nachteil des standes der technik ergibt sich aus der tatsache, dass eine sich bei der silizidierung herausbildende grenzfläche zwischen silizid und silizium im allgemeinen uneben ausgeprägt ist.

as described previously in de 43 01 333 a1, a thick emitter layer is provided for this purpose, which has the function of keeping the silicon material available for a thick silicide layer without the silicidation front penetrating deep into the layer of the silicon-germanium composition.
hierzu ist, wie zuvor in der de 43 01 333 a1 beschrieben, eine dicke emitterschicht 5s vorgesehen, die dazu dient, siliziummaterial für eine dicke silizidschicht 16s vorzuhalten, ohne dass die silizidierungsfront bis in die tiefe der schicht 4s aus silizium-germanium-mischmaterial vordringt.