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Informazioni

Inglese

process for manufactoring integrated resistive elements with silicidation protection

Tedesco

verfahren zur herstellung integrierter widerstandselemente mit silizidationsschutz

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Inglese

metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof

Tedesco

metall-gate-elektrode unter benutzung von silizidierung und diesbezÜgliches herstellungsverfahren

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Inglese

partial silicidation method to form shallow source/drain junctions

Tedesco

teilsilizidierungsverfahren zur bildung von flachen source/drain-Übergängen

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Inglese

method of forming a shallow trench, for isolating adjacent deep trenches, using a silicidation step

Tedesco

verfahren zur herstellung eines flachen grabens zur isolierung von zwei nebeneinanderliegenden tiefen gräben unter verwendung eines silizidierungsprozesses

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Inglese

process for manufacturing a memory device, in particular a phase change memory, including a silicidation step

Tedesco

verfahren zur herstellung einer speichervorrichtung, insbesondere eines phasenänderungsspeichers, wobei das verfahren eine silizidierungsschritt umfasst

Ultimo aggiornamento 2014-11-28
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Inglese

a further disadvantage of the prior art arises from the fact that a silicide-silicon interface, forming during the silicidation, is generally formed unevenly.

Tedesco

ein weiterer nachteil des standes der technik ergibt sich aus der tatsache, dass eine sich bei der silizidierung herausbildende grenzfläche zwischen silizid und silizium im allgemeinen uneben ausgeprägt ist.

Ultimo aggiornamento 2014-12-03
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

Inglese

as described previously in de 43 01 333 a1, a thick emitter layer is provided for this purpose, which has the function of keeping the silicon material available for a thick silicide layer without the silicidation front penetrating deep into the layer of the silicon-germanium composition.

Tedesco

hierzu ist, wie zuvor in der de 43 01 333 a1 beschrieben, eine dicke emitterschicht 5s vorgesehen, die dazu dient, siliziummaterial für eine dicke silizidschicht 16s vorzuhalten, ohne dass die silizidierungsfront bis in die tiefe der schicht 4s aus silizium-germanium-mischmaterial vordringt.

Ultimo aggiornamento 2014-12-03
Frequenza di utilizzo: 2
Qualità:

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