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a semiconductor device comprising at least one schottkytype rectifier having controllable barrier height.
dispositif semi-conducteur comportant au moins un redresseur de type schottky à hauteur de barrière contrÔlable.
the barrier height of the barrier layer is high enough to prevent the electrons from traveling in the reverse direction
la hauteur de la couche barrière est suffisamment élevée pour empêcher les électrons de revenir en arrière
a circuit according to claim 1, 2 or 4, wherein said zero bias barrier height is about 0.25 ev.
un circuit selon la revendication 1, 2 ou 4, dans lequel ladite hauteur de la barrière à polarisation nulle est d'environ 0,25 ev.
schottky diode characteristics were used to reveal changes in the barrier height and interface state density due to surface treatment.
les caractéristiques de diodes schottky ont été utilisées pour révéler les changements dans la hauteur de barrière et dans la densité d'états à l'interface, suite au traitement de la surface.
calculations designed to characterize the transition state and determine the barrier height for rearrangement of nitromethane to methyl nitrite are reported.
on rapporte les résultats de calculs effectués dans le but de caractériser l'état de transition et de déterminer la hauteur de la barrière au réarrangement du nitrométhane en nitrite de méthyle.
for example, for type n silicon, the barrier height is approximately 0.3 to 0.95 ev as a function of the metal chosen.
pour le silicium de type n par exemple, la hauteur de la barrière va d'environ 0,3 ev à 0,95 ev suivant le métal choisi.
a heat-cycle experiment using znmb has revealed that the conformational barrier height in the electronic ground state has a broad distribution.
une expérience de cycle thermique dans znmb a révélé que la hauteur de la barrière conformationnelle dans l'état électronique fondamental a une distribution large.
rapid thermal annealing (rta) of tin/gaas enhanced the barrier height and improved the ideality factor of these diodes.
un recuit thermique rapide de tin/gaas accroît la hauteur de la barrière et améliore le facteur d'idéalité de ces diodes.