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schottky diode characteristics were used to reveal changes in the barrier height and interface state density due to surface treatment.
les caractéristiques de diodes schottky ont été utilisées pour révéler les changements dans la hauteur de barrière et dans la densité d'états à l'interface, suite au traitement de la surface.
calculations designed to characterize the transition state and determine the barrier height for rearrangement of nitromethane to methyl nitrite are reported.
on rapporte les résultats de calculs effectués dans le but de caractériser l'état de transition et de déterminer la hauteur de la barrière au réarrangement du nitrométhane en nitrite de méthyle.
a heat-cycle experiment using znmb has revealed that the conformational barrier height in the electronic ground state has a broad distribution.
une expérience de cycle thermique dans znmb a révélé que la hauteur de la barrière conformationnelle dans l'état électronique fondamental a une distribution large.