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an unipolar organic injection laser in which electrically-stimulated intraband transitions result in lasing
un laser à injection organique unipolaire dans lequel des transitions intrabandes stimulées électriquement produisent un effet laser
an unipolar organic injection laser in which electrically-stimulated intraband transitions result in lasing.
l'invention concerne un laser à injection organique unipolaire dans lequel des transitions intrabandes stimulées électriquement produisent un effet laser.
devices and techniques for coupling radiation to intraband quantum well semiconductor sensors that are insensitive to the wavelength of the coupled radiation
des dispositifs et des techniques de couplage de rayonnement pour des capteurs semi-conducteurs intrabandes à puits quantiques qui sont insensibles à la longueur d'onde du rayonnement couplé
this disadvantage is particularly awkward for systems of laser countermeasures which may require intraband and multi-band tuning ability.
cet inconvénient est particulièrement gênant pour les systèmes de contre-mesure laser qui peuvent nécessiter une accordabilité intra-bande et multi-bande.
devices (100) and techniques for coupling radiation to intraband quantum well semiconductor sensors that are insensitive to the wavelength of the coupled radiation.
la présente invention concerne des dispositifs (100) et des techniques de couplage de rayonnement pour des capteurs semi-conducteurs intrabandes à puits quantiques qui sont insensibles à la longueur d'onde du rayonnement couplé.
for example: the elementary structure or period of the quantum multiwell can be defined so that it exhibits an intraband absorption in the vicinity of 10.6 microns, for example.
par exemple : - la structure élémentaire ou période du multipuits quantique peut être définie pour qu'elle présente une absorption intrabande au voisinage de 10,6µm par exemple.
a part of the materials constituting the wells is doped to occupy the first level able to be occupied by the electrons in the conduction band. further, each elementary quantum well of group 5 can be designed to exhibit an intraband absorption at a given wavelength.
une partie des matériaux constituant les puits est dopée de façon à peupler le premier niveau pouvant être occupé par les électrons dans la bande de conduction, chaque puits quantique élémentaire de l'ensemble 5 peut être conçu pour présenter une absorption intra-bande à une longueur d'onde déterminée.
in this example, the carriers used were electrons and the doping was of the n type. despite this, it may be worthwhile to use the intraband transitions liable to occur within the doped central well p.sub.c.
dans cet exemple les porteurs utilisés étaient les électrons et le dopage de type n. malgré cela, il peut être intéressant d'utiliser les transitions intrabandes susceptibles de se produire au sein du puits central dopé pc.
1, substrate 1 of semi-insulating gaas material comprises a face 10. a network 2 is provided which makes it possible to optimize the coupling of the incident radiation wave with the dipole of the intraband transition between energy levels in the conduction band.
un réseau 2 permettant d'optimiser le couplage de l'onde de rayonnement incidente avec le dipôle de la transition intrabande entre niveaux d'énergie dans la bande de conduction.
an array of quantum well optical absorption devices (40) for steering an input laser beam is represented. the input laser beam (20) is introduced to a laser beam-steering chip (10) an multiple output beams. the chip (10) has a plurality of voltage access points and each of these voltages affects the angles of the output laser beams (30. the fore going is accomplished using intersubband, also known as intraband, transitions of the quantum well.
l'invention concerne un réseau de dispositifs permettant d'orienter électroniquement un faisceau laser. une pluralité de modulateurs d'absorption de puits quantiques orientent un faisceau laser, soit réflectif ou transmissif, sans déplacement de pièces, et pouvant fonctionner à température ambiante. ceci est accompli au moyen de transitions intra-bandes, également qualifiées de transitions inter-sous-bandes, dans les puits quantiques.
