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ajouter un sous-contact

the laser diode is based on al in ga n alloy and consists of: a bottom cladding layer of n -type conductivity, a bottom waveguide layer of n-type conductivity, a light emitting layer, an electron blocking layer of p-type conductivity, an upper waveguide layer of p-type conductivity, an upper cladding layer of p-type conductivity and a subcontact layer, doped with acceptors with concentration level above 10 20cm-3. the diode characterizes in that its bottom cladding layer (1) of n-type is made of ga oxn1-x alloy in which x>0.0005. a method of fabricating such laser diode in epitaxial growth of a layer structure consisting of at least a bottom cladding layer of n-type conductivity comprising at lest one gaoxn1-x layer (1, 1a, 1c) in which x>0.0005, consists in that the gaoxn1-x layer (1a, 1c) is fabricated using a high pressure method of nitride solution in gallium at pressure higher than 800 mpa.
l'invention concerne une diode laser à base d'un alliage d'al in ga n et formée par : une couche de plaquage de fond à conductivité de type n, une couche de guide d'onde de fond à conductivité de type n, une couche d'émission de lumière, une couche de blocage d'électrons à conductivité de type p, une couche de guide d'onde supérieure à conductivité de type p, une couche de plaquage supérieure à conductivité de type p et une couche de sous-contact, dopée avec des accepteurs ayant un niveau de concentration supérieur à 1020cm-3. la diode se caractérise en ce que sa couche de plaquage de fond (1) de type n est formée par un alliage de ga oxn1-x, où x > 0,0005. un procédé de fabrication d'une telle diode laser en croissance épitaxiale d'une structure en couches formée par au moins une couche de plaquage de fond à conductivité de type n comprenant au moins une couche de gaoxn1-x (1, 1a, 1c) où x > 0,0005, consiste à fabriquer la couche de gaoxn1-x (1, 1c) en utilisant un procédé de haute pression d'une solution de nitrure dans du gallium à une pression supérieure à 800 mpa.