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insulated-gate-feldeffekttransistor vom anreicherungstyp
transistor de efecto de campo compuerta aislada tipo incrementado

dual-insulated-gate-feldeffekt-transistor
transistor de efecto de campo compuerta aislada doble

dual-insulated-gate-feldeffekttransistor vom verarmungstyp
transistor de efecto de campo compuerta aislada tipo vaciado

insulated gate-feldeffekttransistor vom anreicherungstyp mit substratanschluss
transistor de efecto de campo compuerta aislada tipo incrementado con substrato a terminal secundario

insulated-gate-feldeffekt-transistor vom verarmungstyp
transistor de efecto de campo compuerta aislada tipo vaciado

verschiedene arten von hochspannungs­schaltungen wie igbt (insulated gate bipolar transistors), ldmos (lateral double diffused mos) und sonstige p­ und η­leitende bjt (bi­polar junction transistors) für spannungen bis 650 v wurden bei vollständiger elektrischer trennung auf ein und demselben chip inte­griert.
asimismo, se han integrado en el mismo chip de silicio, aunque permaneciendo completa­mente aislados entre ellos, diferentes tipos de dispositivos de alto voltaje, por ejemplo, tran­sistores bipolares de puerta aislada (igbt: in­sulated gate bipolar transitors), mos laterales de doble difusión (ldmos: lateral double dif­fused mos) y otros transistores bipolares de unión (bjt: bipolar junction transistors) de ti­po η y ρ de hasta 650 v.