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verschiedene arten von hochspannungsschaltungen wie igbt (insulated gate bipolar transistors), ldmos (lateral double diffused mos) und sonstige p und ηleitende bjt (bipolar junction transistors) für spannungen bis 650 v wurden bei vollständiger elektrischer trennung auf ein und demselben chip integriert.
asimismo, se han integrado en el mismo chip de silicio, aunque permaneciendo completamente aislados entre ellos, diferentes tipos de dispositivos de alto voltaje, por ejemplo, transistores bipolares de puerta aislada (igbt: insulated gate bipolar transitors), mos laterales de doble difusión (ldmos: lateral double diffused mos) y otros transistores bipolares de unión (bjt: bipolar junction transistors) de tipo η y ρ de hasta 650 v.