Вы искали: konzentrationsverlauf (Немецкий - Французский)

bild 40 zeigt den konzentrationsverlauf des siliciums mit entsprechenden hinweisen auf die art und morphologie der angetroffenen einschlüsse.
la figure 40 montre la courbe de concentration du silicium,accompagnée des indications correspondantes sur la nature et la morphologie des inclusions rencontrées.

diode nach einem der ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die verarmungszonenschicht ein dotierprofil mit ortsabhängigem konzentrationsverlauf aufweist.
diode selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la couche de zones d'appauvrissement présente un profil de dopage avec un tracé de la concentration dépendant du lieu.

im inneren teilbild ist der rechnerisch erhaltene konzentrationsverlauf des mangans dargestellt, der hinsichtlich des interdendritischen manganminimums mit dem experiment gut übereinstimmt.
dans la partie médiane de la figure,est representé le tracé de la concentration du manganèse qui a été obtenu par le celcul et qui con­ corde bien avec 1'expérience,en ce qui concerns les minima interdendritiquas.

im gegensatz dazu zeigte die intrathekale verabreichung von 30 mg freiem cytarabin einen biphasischen konzentrationsverlauf in der zerebrospinalflüssigkeit, mit einer terminalen plasma-halbwertszeit von etwa 3,4 stunden.
par contre, l'administration intrathécale de 30 mg de cytarabine libre a montré un profil de concentration biphasique dans le lcr avec une demi-vie terminale d’ environ 3,4 heures.

verfahren nach anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass durch die homogenisierungsbehandlung ein radialer h 2 -konzentrationsverlauf mit einer maximalen abweichung von 15% vom mittelwert eingestellt wird.
procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que par le traitement d'homogénéisation une courbe radiale de concentration h2 est paramétrée avec une divergence maximale de la valeur moyenne de 15%.

die dotierungskonzentration dieser feldstopzonen (11) ist dabei derart eingestellt, dass sich von der oberfläche der Ätzschultern (12) in die tiefe des halbleiterkörpers hinein ein abnehmender gradient im konzentrationsverlauf der dotierung ergibt.
a cet effet, la concentration de dopage de ces zones d'arrêt de champ (11) est ajustée de manière à produire un gradient de la courbe de concentration du dopage, diminuant entre la surface des épaulements de gravure (12) jusque dans l'épaisseur du corps à semi-conducteur.