Вы искали: une chapeau (Французский - Английский)

Компьютерный перевод

Обучается переводу с помощью примеров, переведенных людьми.

French

English

Информация

French

une chapeau

English

 

От: Машинный перевод
Предложите лучший перевод
Качество:

Переводы пользователей

Добавлены профессиональными переводчиками и компаниями и на основе веб-страниц и открытых баз переводов.

Добавить перевод

Французский

Английский

Информация

Французский

l'invention porte sur une chapeau de rayonnement comprenant un transistor à effet de champ

Английский

a radiation sensor comprising a field effect transistor is disclosed

Последнее обновление: 2011-07-27
Частота использования: 1
Качество:

Французский

cet écrou 18 est retenu axialement et angulairement à l'intérieur d'une cage formée par une chapeau 19 assemblé à un disque 20 à l'aide de boulons 21 qui traversent la platine 4.

Английский

the nut 18 is retained inside a cage formed by a cap 19 assembled on a disk 20 using bolts 21 which traverse the plate 4.

Последнее обновление: 2014-12-03
Частота использования: 1
Качество:

Французский

l'invention porte sur une chapeau de rayonnement comprenant un transistor à effet de champ (1). ledit transistor (1) renferme un substrat (2) et une couche faisant office de grille dopée (3) posée sur le substrat (2). la couche faisant office de grille (3) est recouverte d'une couche isolante (4) sur laquelle se trouvent une zone de source interdigitée (5) et une zone de drain (6). une couche active (7), contenant au moins une matière de semi-conducteur organique, est disposée entre la zone de source et celle du drain. un incident lié au rayonnement ionisant sur le détecteur modifie les caractéristiques électriques du détecteur, celles-ci indiquant la dose du rayonnement cumulé sur le détecteur, dû à l'incident.

Английский

a radiation sensor comprising a field effect transistor (1) is disclosed. the transistor (1) comprises a substrate (2) and a doped gate layer (3) on the substrate (2). an insulating layer (4) is provided on the gate layer (3), and interdigitated source (5) and drain (6) regions are provided on the insulating layer (4). an active layer (7) including at least one organic semiconductor material is arranged between the source and drain regions. ionising radiation incident on the detector causes changes in the electrical properties of the detector, and the electrical properties provide an indication of the integrated radiation dose incident upon the detector.

Последнее обновление: 2011-07-27
Частота использования: 1
Качество:

Несколько пользовательских переводов с низким соответствием были скрыты.
Показать результаты с низким соответствием.

Получите качественный перевод благодаря усилиям
7,743,262,430 пользователей

Сейчас пользователи ищут:



Для Вашего удобства мы используем файлы cookie. Факт перехода на данный сайт подтверждает Ваше согласие на использование cookies. Подробнее. OK