来自专业的译者、企业、网页和免费的翻译库。
l'invention porte sur une chapeau de rayonnement comprenant un transistor à effet de champ
a radiation sensor comprising a field effect transistor is disclosed
最后更新： 2011-07-27
使用频率： 1
质量：
cet écrou 18 est retenu axialement et angulairement à l'intérieur d'une cage formée par une chapeau 19 assemblé à un disque 20 à l'aide de boulons 21 qui traversent la platine 4.
the nut 18 is retained inside a cage formed by a cap 19 assembled on a disk 20 using bolts 21 which traverse the plate 4.
最后更新： 2014-12-03
使用频率： 1
质量：
l'invention porte sur une chapeau de rayonnement comprenant un transistor à effet de champ (1). ledit transistor (1) renferme un substrat (2) et une couche faisant office de grille dopée (3) posée sur le substrat (2). la couche faisant office de grille (3) est recouverte d'une couche isolante (4) sur laquelle se trouvent une zone de source interdigitée (5) et une zone de drain (6). une couche active (7), contenant au moins une matière de semi-conducteur organique, est disposée entre la zone de source et celle du drain. un incident lié au rayonnement ionisant sur le détecteur modifie les caractéristiques électriques du détecteur, celles-ci indiquant la dose du rayonnement cumulé sur le détecteur, dû à l'incident.
a radiation sensor comprising a field effect transistor (1) is disclosed. the transistor (1) comprises a substrate (2) and a doped gate layer (3) on the substrate (2). an insulating layer (4) is provided on the gate layer (3), and interdigitated source (5) and drain (6) regions are provided on the insulating layer (4). an active layer (7) including at least one organic semiconductor material is arranged between the source and drain regions. ionising radiation incident on the detector causes changes in the electrical properties of the detector, and the electrical properties provide an indication of the integrated radiation dose incident upon the detector.
最后更新： 2011-07-27
使用频率： 1
质量：
一些相关性较低的人工翻译已被隐藏。
显示低相关性结果。