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the sem micrograph of rtp powder is with sheet shape and irregular.
la micrographie sem de poudre rtp est avec la forme de la feuille et irrégulière.
Последнее обновление: 2018-02-13
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sem micrographs of cathodic deposit surfaces are shown.
les micrographies obtenues par microscopie électronique à balayage (meb) des surfaces de dépôt cathodique sont incluses.
Последнее обновление: 2015-05-14
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7 and 8 are sem micrographs of the absorbent layer used in the embodiments of the invention.
les figures 7 et 8 sont des photographies prises au meb de la couche absorbante utilisée dans les modes de réalisation de l'invention.
Последнее обновление: 2014-12-03
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fig. 28 is an sem micrograph of trenches in a coupon showing the formation, on tin, of a copper seed layer, estimated to be about 10 nm in thickness, obtained from an electrografted aryldiazonium film.
la figure 28 : cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant la formation, sur tin, d'une couche de germination de cuivre, estimée à 10 nm environ, obtenue à partir d'un film d' aryldiazonium électro-greffé .
Последнее обновление: 2014-12-03
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fig. 29 is an sem micrograph of trenches in a coupon showing the filling, with copper, of 0.22 μm trenches having a seed layer obtained beforehand by electrografting a palladium-metallized aryldiazonium. fig.
la figure 29 : cliché en microscopie électronique à balayage de la tranche d'un coupon montrant le remplissage, par du cuivre, de tranchées de 0,22 →m portant une couche de germination préalablement obtenue par électro-greffage d'un aryldiazonium métallisé par du palladium.
Последнее обновление: 2014-12-03
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fig. 5 is a secondary-electron sem micrograph of the composite containing no blocking agent (magnification: ×3000; grain size between 2 and 10 μm).
la figure 5 est une micrographie meb réalisée en électrons secondaires du matériau ne contenant pas d'agent bloquant (grossissement : x 3 000 ; taille des grains entre 2 et 10 μm).
Последнее обновление: 2014-12-03
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fig. 25 is an sem micrograph of a trench in a silicon substrate with no etched features (planar surface) coated with a titanium nitride barrier layer of about 10 nm and with an electrografted p4vp film serving for producing a seed layer according to the present invention, showing the conformality of the coating.
la figure 25 est une micrographie de microscopie électronique à balayage (meb) d'une tranche d'un substrat de silicium sans gravures (surface plane) revêtu d'une couche barrière de nitrure de titane de 10 nm environ, et d'un film de p4vp électro-greffé servant à l'élaboration d'une couche de germination selon la présente invention, montrant la conformité du revêtement.
Последнее обновление: 2014-12-03
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7 is a secondary-electron sem micrograph of the la 0.6 sr 0.4 fe 0.9 ga 0.1 o 3−δ composite containing 5 vol % magnesium oxide as blocking agent (magnification: ×50000; grain size between 0.2 and 1.6 μm).
la figure 7 est une micrographie meb réalisée en électrons secondaires du maté- riau lao.esrc/ifeo.ggarj os.δ contenant 5% vol d'oxyde de magnésium comme agent bloquant (grossissement : x 50 000 ; taille des grains entre 0,2 et 1,6 μm).
Последнее обновление: 2014-12-03
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