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method filling interlevel dielectric via or contact holes in multilevel vlsi metallization structures.
verfahren zum auffüllen von verbindungs- oder kontaktlöchern in einer mehrlagigen vlsi-metallisierungsstruktur.
deposition of amorphous silicon for the formation of interlevel dielectrics in semiconductor memory devices.
niederschlagung von amorphen silizium zur herstellung dielektrischer zwischenschichten für halbleiter speicherzellen.
integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation
integration von niedrigen k polymer in dielektrishen zwischenschicht unter verwendung von kontrollierten elektronenstrahlen
methods of forming an interlevel dielectric layer between different levels of metal layers in the fabrication of integrated circuit
verfahren zur herstellung einer dielektrischen zwischenschicht zwischen mehrlagen-metallisierungen zur herstellung integrierter schaltungen
method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer
verfahren zur abscheidung einer ausgewÄhlten schichtdicke eines dielektrischen zwischenschichtmaterials, um optimale globale planaritÄt auf einem halbleiterwafer zu erzielen
process for forming a sion/sio2 interlevel dielectric with after-treatment of the cvd silicium oxynitride layer
verfahren zur herstellung einer sion/sio2 dielektrischen zwischenschicht mit einer nachbehandlung der cvd silizium oxynitridschicht
method of fabicating low-dielectric constant interlevel dielectric films for beol interconnects with enhanced adhesion and low-defect density
verfahren zur herstellung von dielektrischen zwischenschichten mit niedriger dielektrizitÄtskonstante fÜr beol-verbindungsleitungen mit verbesserter haftung und niedriger fehlerdichte
an ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device, a method for fabricating the same, and an electronic device containing the same
ein material mit ultra-niedriger dielektrizitÄtskonstante als dielektrikum innerhalb einer schicht oder zwischen schichten in einem halbleiterbauelement, ein verfahren zu dessen herstellung und ein elektronisches bauelement mit diesem material
the device according to claim 1, characterized in that the interlevel insulator (15) includes a buffer layer (16) of a conductive material therein.
einrichtung nach anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischenniveau-isolator (15) eine pufferschicht (16) aus einem leitenden material darin umfaßt.
process for producing interconnecting lines and interlevels via crossings in an integrated circuit.
verfahren zur herstellung von verbindungslinien und von kreuzungspunkten verschiedener metallisierungsebenen auf einer integrierten schaltung.
