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dh-ingaas(2)
dh-ingaas(2)

ingaas/inp type pin photodiodes.
ingaas/inp-pin-photodioden.

ingaas image intensification camera
ingaas-bildintensivierungskamera

method of fabricating a surface coupled ingaas photodetector
herstellungsverfahren für einen oberflächen-gekoppelten ingaas photodetektor

high electron mobility transistor comprising an inas/ingaas superlattice
transistor von hoher elektronenbeweglichkeit mit einem inas/ingaas supergitter

method of dry etching ina1as and ingaas lattice matched to inp.
methode für das trockenätzen von inalas und ingaas mit inp übereinstimmender, kristallographischen ordnung.

inp/ingaas monolithic integrated demultiplexer, photodetector, and heterojunction bipolar transistor
in inp/ingaas monolithisch integrierter demultiplexer, photodetektor und heteroübergang-bipolartransistor

the highly sensitive ingaas detector is responsive in the spectral range from 900 – 2500nm.
der hochsensible ingaas chipsatz bietet eine spektrale empfindlichkeit von 900 bis 2500nm

a compound semiconductor photodiode as claimed in claim 4, wherein the undercoat is an ingaas crystal.
verbindungshalbleiter-fotodiode nach anspruch 4, wobei die unterschicht ein ingaas-kristall ist.

the semiconductor light emission system as defined in claim 1, the semiconductor being constituted of an ingaas material.
lichtemittierendes halbleitersystem nach anspruch 1, dessen halbleiter aus ingaas- material besteht.

a group iii-v compound semiconductor laser according to claim 10, wherein said gradient composition layer essentially consists of ingaas.
verbindungshalbleiterlaser der gruppe iii-v nach anspruch 10, bei dem die zusammengesetzte gradientenschicht im wesentlichen aus ingaas besteht.

semiconductor laser device having ingaas compressive-strain active layer, gaasp tensile-strain barrier layers and ingap optical waveguide layers
halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven schicht aus ingaas unter kompressionsdruck, einer sperrschicht aus gaasp unter dehnungsdruck, und einem lichtwellenleiter aus ingap