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rf activated aimd telemetry transceiver
Émetteur rÉcepteur de tÉlÉmesure par dispositif mÉdical actif implantable (aimd) activÉ par rf
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
an active implantable medical device (aimd)
un dispositif médical implantable actif (aimd)
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 2
Quality:
hspa relative bit-rate aimd-based qos profiling
profilage de qos basÉe aimd À dÉbit binaire relatif hspa
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
the transitional phase of the aimd, mdd and ivd mdd has passed.
les périodes de transition pour les directives dmai, ddm et ddm div sont déjà venues à terme.
Last Update: 2015-05-14
Usage Frequency: 1
Quality:
a feed through for an active implantable medical device (aimd)
une traversée hermétique liée pour un dispositif médical implantable actif
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
an electronics package for an active implantable medical device (aimd)
un boîtier électronique pour un dispositif médical implantable actif (aimd)
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
specifics related to active implantable medical devices can be referred to in the aimd and relevant harmonized standards.
les particularités des exigences concernant les dispositifs médicaux actifs implantables peuvent être trouvées dans la directive dmai et dans les normes harmonisées pertinentes.
Last Update: 2015-05-14
Usage Frequency: 1
Quality:
an additional further breathable coating or conformal coating may be placed over a surface of the feedthrough capacitor disposed toward the interior of the aimd
un autre revêtement respirant ou conforme peut être placé sur une surface du condensateur de traversée disposé vers l'intérieur du dispositif médical implantable actif
Last Update: 2014-12-03
Usage Frequency: 1
Quality:
a telemetry wake-up circuit is electrically disposed between a telemetry transceiver associated with an aimd, and an rf tag
un circuit de réveil de télémesure électriquement disposé entre un émetteur-récepteur de télémesure associé à un aimd, et une puce rf
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
in the sleep mode, the telemetry transceiver draws less than 25,000 nanoamperes from the aimd, and preferably less than 500 nanoamperes.
dans le mode sommeil, l'émetteur-récepteur de télémesure tire moins de 25 000 nanoampères du aimd, et de préférence moins de 500 nanoampères.
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
this simulation is based on a fluid description of the additive increase and multiplicative decrease (aimd) type model.
cette simulation est basée sur une description fluide du modèle de type croissance additive et décroissance multiplicative (aimd).
Last Update: 2014-12-03
Usage Frequency: 1
Quality:
an emi shield is conductively coupled to the aimd housing and substantially co-extends about the leadwire in non-conductive relation thereto.
la gaine de blindage contre les interférences électromagnétiques est couplée de manière conductrice à l'enceinte aimd et s'étend sensiblement autour du fil conducteur et en association avec lui dans une relation non conductrice avec celui-ci.
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality:
a feed through for an active implantable medical device (aimd). the feed through comprises first and second substantially planar, electrically non-conductive and fluid impermeable substrates usable for semiconductor device fabrication, each comprising: an aperture there through, and a contiguous metalized layer on the substrate surface that is co¬ existent with a section of the perimeter of the aperture and extends from the aperture; and a bond layer affixing the metalized layers of the first and second substrates to one another such that the apertures are not aligned with one another, and such that the metalized regions form a conductive pathway between the apertures.
la présente invention concerne une traversée hermétique liée pour un dispositif médical implantable actif. la traversée comporte des premier et second substrats sensiblement plats, non conducteurs et imperméables aux fluides pour la fabrication de dispositif à semi-conducteurs, comprenant chacun : une ouverture traversante, et une couche métallisée adjacente à la surface du substrat qui coexiste avec une section du périmètre de l'ouverture et s'étend depuis l'ouverture; et une couche de liaison fixant les couches métalliques des premier et second substrats les unes aux autre de sorte que les ouvertures ne soient pas alignées les unes sur les autres et que les couches métallisées forment un chemin conducteur entre les ouvertures.
Last Update: 2011-07-27
Usage Frequency: 1
Quality: