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el producto afectado por la presente investigación es el mismo que el de la investigación original, a saber, determinados microcircuitos electrónicos conocidos como dram (dynamic random access memories, memorias dinámicas de acceso aleatorio) de todos los tipos, densidades y variedades, ensamblados tanto en forma de disco como de pastilla, fabricados utilizando variaciones de la tecnología del proceso para crear semiconductores de óxido metálico (metal oxide-semiconductors, mos), incluidos tipos de mos complementarios (cmos), de todas las densidades (incluidas densidades que todavía no existen) independientemente de su velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte, etc. originarios de la república de corea.
het betrokken product in het kader van dit onderzoek is hetzelfde als in het oorspronkelijke onderzoek, namelijk bepaalde micro-elektronische schakelingen, zogeheten dram’s, van alle soorten, dichtheden en varianten, al dan niet geassembleerd of in de vorm van bewerkte „wafers” of chips (dies), vervaardigd in varianten van de metaaloxidehalfgeleider(mos)-technologie, zoals complementaire mos-types (cmos), van alle dichtheden (ook toekomstige), ongeacht toegangssnelheid, configuratie, behuizing, frame enz., uit de republiek korea.
