Você procurou por: kaasufaasipinnoitus (Finlandês - Inglês)

kemiallinen kaasufaasipinnoitus
chemical vapour deposition

metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus
metal-organic chemical vapour deposition

chemical vapour deposition (kemiallinen kaasufaasipinnoitus)
chemical vapour deposition

chemical vapour deposition (kemiallinen kaasufaasipinnoitus) cw
european broadcasting union

metal organic chemical vapour deposition (metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus)
lidar light detection and ranging

electron beam physical vapour deposition (elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus)
electron beam physical vapour deposition

electron beam physical vapour deposition (elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus) ebu
electrically erasable programmable read only memory

seuraavat plasma-cvd (chemical vapour deposition = kemiallinen kaasufaasipinnoitus)-laitteet:
plasma enhanced chemical vapour deposition (cvd) equipment as follows:

d. seuraavat plasma-cvd (chemical vapour deposition = kemiallinen kaasufaasipinnoitus) -laitteet:
d. plasma enhanced chemical vapour deposition (cvd) equipment as follows:

laitteistot, joilla valmistetaan piikarbidikuituja pinnoittamalla kuumennettuja kuitusubstraatteja alkuaineilla tai yhdisteillä kemiallista kaasufaasipinnoitus-menetelmää (cvd) käyttäen;
equipment for the chemical vapour deposition of elements or compounds, on heated filamentary substrates, to manufacture silicon carbide fibres;

reaktorit, jotka suorittavat metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (mocvd) ja jotka on erityisesti suunniteltu yhdistepuolijohdekiteiden kasvatukseen käyttäen kohtien 3c003 tai 3c004 mukaan valvonnanalaisten materiaalien välistä kemiallista reaktiota;
metal organic chemical vapour deposition (mocvd) reactors specially designed for compound semiconductor crystal growth by the chemical reaction between materials specified in 3c003 or 3c004;