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the substrate is selectively etched to thereby etch away the substrate underneath the contact pads and the semiconductor die
le substrat est sélectivement mordancé de manière à graver le substrat en dessous des plages de contact et de la matrice de semi-conducteur
the spacers are used to align a photoresist mask which is used to etch away the oxide layer on top of the active regions
ces séparations servent à aligner un masque au photoresist qu'on utilise pour attaquer et éliminer la couche d'oxyde située au-dessus des régions actives
the spacers are used to align a photoresist mask which is used to etch away the oxide layer on top of the active regions.
ces séparations servent à aligner un masque au photoresist qu'on utilise pour attaquer et éliminer la couche d'oxyde située au-dessus des régions actives.
an applicator applies a solvent to the mixture to etch away a portion of the soluble particles from the mixture to form the superhydrophobic material.
un applicateur applique un solvant au mélange pour éliminer du mélange par attaque chimique une partie des particules solubles pour former le matériau superhydrophobe.
the method of claim 2 wherein the time for etching said silicon nitride surface is selected so as to not etch away more than about 50nm of said silicon nitride surface.
procédé selon la revendication 2, dans lequel la durée de l'attaque de ladite surface en nitrure de silicium est choisie pour ne pas enlever plus de 50 nm environ de ladite surface en nitrure de silicium.
an etchant is then applied to the structure so as to etch away material from the silicon substrate exposed by the second surface portion and a portion of the second oxide layer, thereby forming a trench in the second surface portion of the silicon substrate
on applique ensuite un réactif d'attaque à la structure, de façon à retirer du matériel du substrat de silicium exposé par la deuxième partie de surface et par une partie de la deuxième couche d'oxyde, ce qui crée une tranchée dans la deuxième partie de surface du substrat de silicium
bonds; and exposing the sheet of fluoropolymer to an etching for a period of time sufficient to etch away disrupted atoms and molecules, wherein continuous microphages are formed through the sheet.
, puis à soumettre la feuille de fluoropolymère à une gravure pendant une durée suffisante pour enlever les atomes et molécules dissociés, des micropassages continus étant ainsi formés à travers la feuille.
methods provided include a method for forming vias in parallel in an elastomeric layer of an elastomeric block of a microfluidic device, the method includes using patterned photoresist masks and etching reagents to etch away regions or portions of an elastomeric layer of the elastomeric block.
les méthodes fournies comprennent une méthode pour former des voies en parallèle dans une couche élastomère d'un bloc élastomère d'un dispositif microfluide, la méthode comprenant l'utilisation de masques photorésistants imprimés et de réactifs d'attaque pour détacher des zones ou des portions d'une couche élastomère du bloc élastomère.
a steel sample from the casting, after grinding to remove any heat-affected zone and to provide a desired degree of surface roughness, is anodically etched using dilute hydrochloric acid at ambient temperature to etch away metal from the surface to reveal the internal quality
un échantillon d'acier provenant de la coulée est tout d'abord meulé pour éliminer les zones endommagées par la chaleur et pour obtenir un degré prédéterminé de dureté de la surface, puis il est attaqué par procédé anodique avec de l'acide chlorhydrique dilué dans des conditions de température ambiante pour éliminer par attaque à l'acide le métal se trouvant en surface afin de faire apparaître la qualité interne
the n-doped portions of gate electrode layer will etch away faster, and because the gate electrode layer is predominantly n-type, a strong and detectable endpoint signal will be induced when the etchant reaches the silicon dioxide layer
les parties dopées du type n de la couche d'électrode grille sont éliminées par attaque plus rapide, et du fait que la couche d'électrode grille est essentiellement du type n, un signal de point final fort et détectable est induit lorsque l'agent d'attaque atteint la couche de silicium
examples of halides include cl, br, f, and i. once the cux, or cux and cux2, are formed, a reducing gas is passed over the area of cu for a sufficient time to etch away at least a portion of the cux, or cux2, respectively
comme exemples d'halogénure citons ci, br, f et i lorsque cux, ou cux et cux2 sont formés, un gaz de réduction est passé sur la zone de cu pendant une durée suffisante pour attaquer au moins une partie de cux ou de cux2, respectivement