検索ワード: ingaas (英語 - ドイツ語)

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最終更新: 2018-02-13
使用頻度: 1
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dh-ingaas(2)

ドイツ語

dh-ingaas(2)

最終更新: 2018-02-13
使用頻度: 2
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ingaas/inp type pin photodiodes.

ドイツ語

ingaas/inp-pin-photodioden.

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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英語

ingaas image intensification camera

ドイツ語

ingaas-bildintensivierungskamera

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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英語

method of fabricating a surface coupled ingaas photodetector

ドイツ語

herstellungsverfahren für einen oberflächen-gekoppelten ingaas photodetektor

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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英語

high electron mobility transistor comprising an inas/ingaas superlattice

ドイツ語

transistor von hoher elektronenbeweglichkeit mit einem inas/ingaas supergitter

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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英語

method of dry etching ina1as and ingaas lattice matched to inp.

ドイツ語

methode für das trockenätzen von inalas und ingaas mit inp übereinstimmender, kristallographischen ordnung.

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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inp/ingaas monolithic integrated demultiplexer, photodetector, and heterojunction bipolar transistor

ドイツ語

in inp/ingaas monolithisch integrierter demultiplexer, photodetektor und heteroübergang-bipolartransistor

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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英語

the highly sensitive ingaas detector is responsive in the spectral range from 900 – 2500nm.

ドイツ語

der hochsensible ingaas chipsatz bietet eine spektrale empfindlichkeit von 900 bis 2500nm

最終更新: 2018-02-13
使用頻度: 1
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英語

a compound semiconductor photodiode as claimed in claim 4, wherein the undercoat is an ingaas crystal.

ドイツ語

verbindungshalbleiter-fotodiode nach anspruch 4, wobei die unterschicht ein ingaas-kristall ist.

最終更新: 2014-12-05
使用頻度: 2
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英語

the semiconductor light emission system as defined in claim 1, the semiconductor being constituted of an ingaas material.

ドイツ語

lichtemittierendes halbleitersystem nach anspruch 1, dessen halbleiter aus ingaas- material besteht.

最終更新: 2014-12-05
使用頻度: 4
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英語

a group iii-v compound semiconductor laser according to claim 10, wherein said gradient composition layer essentially consists of ingaas.

ドイツ語

verbindungshalbleiterlaser der gruppe iii-v nach anspruch 10, bei dem die zusammengesetzte gradientenschicht im wesentlichen aus ingaas besteht.

最終更新: 2014-12-05
使用頻度: 2
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英語

semiconductor laser device having ingaas compressive-strain active layer, gaasp tensile-strain barrier layers and ingap optical waveguide layers

ドイツ語

halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven schicht aus ingaas unter kompressionsdruck, einer sperrschicht aus gaasp unter dehnungsdruck, und einem lichtwellenleiter aus ingap

最終更新: 2014-11-28
使用頻度: 2
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